現(xiàn)行光電裝置是基于硅的無機半導體材料，效率低，不能處理全部光譜，且成本昂貴。
量子點即大小在幾納米的半導體晶體，改變其尺寸，可以輕易控制太陽能電池的性質，如擴大吸收光譜。量子點冷凝物生產是通過簡單廉價方法進行的，但為了獲得高質量的鍍層，必須仔細挑選生產條件和把量子點連結在一起的有機分子類型。
俄學者開發(fā)出了在室溫下取代配位基的技術，有助于改變量子點之間的距離，以此控制電荷能源傳遞的效率，不僅用來制造光電電池或發(fā)光二極管，還可以制造更復雜的半導體結構，如用作制造高度敏感的新一代傳感器的半導體結構。
