江蘇省硅基電子材料重點實驗室總面積3000平方米，其中千級潔凈室近200平方米，可對硅錠、硅片表面形貌結(jié)構(gòu)、微區(qū)成分、晶向結(jié)構(gòu)、表面反射特征、光致發(fā)光衰減及雜質(zhì)元素等進行全面檢測分析，是一個太陽能級晶體硅材料長晶綜合研究平臺。通過大量研究成果轉(zhuǎn)化和生產(chǎn)工藝提升，目前多晶電池轉(zhuǎn)換效率提升至19.5%以上，單晶電池轉(zhuǎn)換效率提升至20.5%以上，處于行業(yè)領(lǐng)先水平。
在晶體質(zhì)量方面，實驗室在開發(fā)新的鑄錠熱場及工藝、提升少子壽命、降低多晶硅片的位錯密度、降低氧濃度和碳濃度、收窄電阻率分布等方面成效卓著，并提升優(yōu)化了全熔和半熔長晶工藝。在多晶硅片方面，憑借先進的成核技術(shù)、高純材料和電阻率優(yōu)化，為更高效率需求提供選擇；在單晶硅片方面，更加先進的CCz技術(shù)氧含量更低且更均勻，金屬雜質(zhì)累積速度更慢，軸向電阻率分布均勻，波動可以控制在10％以內(nèi)，更適用于高效N型和鎵摻雜的P型電池。
依托于硅基電子材料重點實驗室的研發(fā)成果及眾多專家的一線攻關(guān)，保利協(xié)鑫“TS+”第二代黑硅片制絨成本降低約30%，以接近傳統(tǒng)制絨的成本獲取黑硅高轉(zhuǎn)化效率，電池效率增益將提升至0.5%，引領(lǐng)全國100余條黑硅產(chǎn)線、23吉瓦黑硅產(chǎn)能降本提效，未來“金剛線+黑硅+PERC”技術(shù)將成為300W+多晶組件的標配。此外，依托實驗室研發(fā)成果并提升長晶設(shè)備工藝，客戶反饋保利協(xié)鑫鑄錠單晶疊加PERC技術(shù)后與Cz單晶效率差僅為0.18%，高效鑄錠單晶組件（60片）可以封裝到310W，而成本大幅降低。利用鑄錠工藝特性和摻鎵技術(shù)，鑄錠單晶光衰比Cz單晶產(chǎn)品低0.5%以上。2011年至今，江蘇協(xié)鑫硅材料先后推出“鑫單晶”G系列、“鑫多晶”S系列高效硅片系列產(chǎn)品，持續(xù)引領(lǐng)全球光伏產(chǎn)業(yè)的高效潮流。
江蘇省重點實驗室是省區(qū)域性科技創(chuàng)新體系重要基礎(chǔ)設(shè)施之一，依托本領(lǐng)域有較強科研實力的重點科研院所院校、科技型企業(yè)組建，以應用基礎(chǔ)研究和高技術(shù)研究為重點，瞄準國際學科前沿。2015年，經(jīng)江蘇省科技廳批準籌建，位于徐州的江蘇協(xié)鑫硅材料開始著手打造硅基電子材料重點實驗室。經(jīng)過三年多的建設(shè)，實驗室順利完成了各項考核任務，并于2018年4月通過省科技廳專家組驗收。近期，江蘇省硅基電子材料重點實驗室獲批省財政廳、科技廳補助經(jīng)費300萬元。
早在2011年，成立一年多的江蘇協(xié)鑫硅材料研發(fā)中心就與浙江大學硅材料國家重點實驗室開展產(chǎn)學研項目合作，2013年，雙方合作項目獲得江蘇省重大科技成果專項資金項目支持。2014年以后，研發(fā)中心陸續(xù)與南京航空航天大學、中國礦業(yè)大學建設(shè)了產(chǎn)學研合作關(guān)系。2015年以后研發(fā)中心立足于“江蘇省硅基電子材料重點實驗室”專業(yè)平臺，將專利技術(shù)融入生產(chǎn)應用，科技成果轉(zhuǎn)化碩果累累。
作為全球領(lǐng)先的鑄錠、切片研發(fā)制造基地，江蘇協(xié)鑫硅材料未來將進一步拓寬學科領(lǐng)域，加強太陽能硅材料、硅基光電子材料等新型功能材料的研究，不斷提升科技成果轉(zhuǎn)化水平。
